Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF640 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF640

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source (V_DSS): 200 V
• Tensão Gate-Source, máximo (V_GS): ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (R_DS(on)): 0,180 Ohm
• Corrente contínua Dreno (I_D): 18 A
• Carga Total da Gate (Q_g): 70 nC
• Dissipação de energia (P_D): 125 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF640

O transistor IRF640 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

BUK456-200A, BUK456-200B, IRFB5620, IRFB5620PbF, YTA640, IRF641, IRF642, IRFB4620, 2SK740, STP19NB20, YTA640, BUK455-200A, BUZ30A, MTP20N20E, RFP15N15, 2SK891, 18N25, 18N40, 22N20.

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