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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFP4768 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP4768

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 250 V
  • Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
  • Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source (RDS(on)): 17,5m
  • Corrente contínua Dreno (ID): 93 A
  • Carga Total da Gate (Qg): 270 nC
  • Dissipação de energia (PD): 520 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-247AC


Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFP4768 IRFP4768PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP4768

O transistor IRFP4768 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRFP4768PbF, AUIRFP4768.

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Forte abraço.
Deus vos Abençoe!
Shalom!

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