Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFP4768 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP4768

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source (V_DSS): 250 V
• Tensão Gate-Source, máximo (V_GS): ± 20 V
• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source (R_DS(on)): 17,5mΩ
• Corrente contínua Dreno (I_D): 93 A
• Carga Total da Gate (Q_g): 270 nC
• Dissipação de energia (P_D): 520 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-247AC
  
  

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFP4768 e IRFP4768PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP4768

O transistor IRFP4768 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFP4768PbF, AUIRFP4768.

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