Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N BUZ21 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet BUZ21

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,085Ω ou 85mΩ

• Corrente contínua Dreno: 21A

• Dissipação de energia: 75 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor BUZ21

O transistor Mosfet BUZ21 pode ser substituído pelos seguintes transistores:

IRF100B201, IRF8010, IRFB4110, IRFB4115, 40N20, BUK456‑100A, BUK456‑100B, BUZ22, IRF1310N, IRF3415, IRF3710, IRF540, IRF8010, IRFB4410, IRFB4110, IRFB4710, 2SK3216‑01, 2SK3218‑01, 2SK3479, 2SK889, 11N10, 30N20, 75N10B, 80N10, 140N10, BUK455‑100A, BUK455‑100B, IRF4410A, IRF542, IRFB4115, IRFB4227.

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