Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N BUZ80 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet BUZ80

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 800 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,12 Ω
• Corrente contínua Dreno: 3,4A
• Carga Total da Gate: 55 nC
• Dissipação de energia: 100 W
• Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220
  
  

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor BUZ80

O transistor Mosfet BUZ80 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

2SK3458, 2SK3531‑01, 2SK3533‑01, 2SK3678‑01, 4N80, 4N90, 5N80, 5N90, 6N80, 7N80, 8N80, 9N80, BUZ81.

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