Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF13N50 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF13N50

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V

• Tensão Gate-Source, Máximo: ± 30 V

• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 0,45 Ω ou 450 mΩ

• Corrente Contínua Dreno: 14 A

• Carga Total da Gate: 81 nC

• Dissipação de energia: 250 W

• Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF13N50

O transistor IRF13N50 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFB13N50A, 13N50, 2SK3682‑01, 18N50, IPP60R099CP, IPP60R099CPA, IRFB13N50A, IRFB13N50APbF.

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