Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 11N50L - TF3 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 11N50L

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,55 Ω

• Corrente contínua Dreno: 11 A

• Carga Total da Gate: 55 nC

• Dissipação de energia: 147 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220F

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 11N50L

O transistor Mosfet 11N50L pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

12N50, FIR20N65AFG, FQPF13N50C, HF25N50, HM20N60F, MSF16N50, MSF18N50.

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