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Características Básicas do Transistor Mosfet 11N90
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 900 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,1 Ω
- Corrente contínua Dreno: 11 A
- Carga Total da Gate: 80 nC
- Dissipação de energia: 50 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220F1
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor 11N90
O transistor Mosfet 11N90 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
11N90, 12N90.
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