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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 12N65 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet 12N65

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 650 V
  • Tensão Gate-Source, Máximo: ± 30 V
  • Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 0,85Ω
  • Corrente Contínua Dreno: 12 A
  • Carga Total da Gate: 54 nC
  • Dissipação de energia: 225 W
  • Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220

Substitutos e Equivalentes para o Transistor 12N65

O transistor 12N65 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
12N70, 20N65, 22N65, 15N65, STP20N95K5, STP21N90K5, STP25N80K5, TPP80R250A, TPP90R350A.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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