Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 12N70 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet 12N70

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 700 V

• Tensão Gate-Source, Máximo: ± 30 V

• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 0,7 Ω

• Corrente Contínua Dreno: 12 A

• Carga Total da Gate: 54 nC

• Dissipação de energia: 225 W

• Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 12N70

O transistor 12N70 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

STP20N95K5, STP21N90K5, STP25N80K5, TPP80R250A, TPP90R350A.

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