Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N STF24N60DM2 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet STF24N60DM2

• Marcação no Transistor: 24N60DM2

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source (V_DSS): 600 V

• Tensão Gate-Source, máximo (V_GS): ± 25 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (R_DS(on)): 0,2 Ω

• Corrente contínua Dreno (I_D): 18 A

• Carga Total da Gate (Q_g): 29 nC

• Dissipação de energia (P_D): 150 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 24N60DM2

O transistor 24N60DM2 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

20N65, 22N60, AOT20S60, AOT25S65, AOT27S60, FCP20N60FS, IXFP30N60X, STP24N60M2.

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