Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 2SK1011 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 2SK1011

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 450 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,65 Ω
• Corrente contínua Dreno: 10A
• Dissipação de energia: 100 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-3PN

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SK1011

O transistor Mosfet 2SK1011 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

18N60, 20N60, 20N65, 22N60, 2SK1013, 2SK1016, 2SK1017, 2SK1018, 2SK1165, 2SK1517, 2SK2032, 15N60, 18N50.

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