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Características Básicas do Transistor Mosfet 2SK1057
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 140 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 15 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,4 Ω
- Corrente contínua Dreno: 7A
- Dissipação de energia: 100 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-3P
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Módulos!Par Complementar do Transistor Mosfet:
O transistor Canal-N 2SK1057 é complementar do transistor Canal-P 2SJ161
Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SK1057
O transistor Mosfet 2SK1057 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
18N60,
20N60,
20N65,
22N60,
2SK1011, 2SK1012, 2SK1013, 2SK1017, 2SK1020, 2SK1058, 2SK1165, 2SK1170,
2SK1280, 2SK1386, 2SK1403, 9N90, 10N80, 10N90, 12N80, 15N60, 18N60,
20N60.
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