Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 2SK1118 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 2SK1118

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 600 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,95 Ω
• Corrente contínua Dreno: 6A
• Carga Total da Gate: 56 nC
• Dissipação de energia: 45 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220F

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SK3680

O transistor Mosfet 2SK1118 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

2SK1117, 2SK2866, 2SK3116, 2SK3299, 2SK3569, 2SK3761.

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