Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 2SK2699 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 2SK2699

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 600 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,65 Ω
• Corrente contínua Dreno: 12A
• Carga Total da Gate: 58 nC
• Dissipação de energia: 150 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-3P

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SK2699

O transistor Mosfet 2SK2699 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

2SK1940-01, 2SK2061, 2SK3911.

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