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Características Básicas do Transistor Mosfet 2SK2765-01
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 800 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 2 Ω
- Corrente contínua Dreno: 7A
- Dissipação de energia: 125 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
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Encapsulamento: TO-3P
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SK2765-01
O transistor Mosfet 2SK2765-01 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
2SK1489, 2SK1795, 2SK1934, 2SK2611, 2SK2968, 2SK3473, 2SK4207, 7N90, 8N90A, 9N80A, 10N80, 10N90, 12N80.
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