Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 2SK2800 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 2SK2800

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 60 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 20 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 40A
• Dissipação de energia: 50 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220AB
  
  

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SK2800

O transistor Mosfet 2SK2800 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

40N20, 50N06, 60N06, 75N75, 80N08, IRF1010E, IRF1018E, IRF1407, IRF1607, IRF8010, IRFB3077, IRFB3077PbF, IRFB4110, IRFB4115, IRFB4410, 2SK1542, 2SK2499, 2SK2826, 2SK2931, 2SK3060, 2SK3354, 11N10, 60N08, 70N06, 110N10, IRF2807.

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