Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 2SK3162 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 2SK3162 

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 75 mΩ

• Corrente contínua Dreno: 20A

• Dissipação de energia: 35 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220FM

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SK3162

O transistor Mosfet 2SK3162 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

40N20, 2SK3594‑01, 2SK3892, 2SK3995, 30N20.

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