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Características Básicas do Transistor Mosfet 2SK3271-01
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 60 V
- Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 30 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 6,5 Ω
- Corrente contínua Dreno (ID): 100 A
- Carga Total da Gate (Qg): 72 nC
- Dissipação de energia (PD): 155 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-3P
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SK3271-01
O transistor 2SK3271-01 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
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