Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 40N20 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 40N20

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 50 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 40A
• Carga Total da Gate: 163 nC
• Dissipação de energia: 220 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220C

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 40N20

O transistor Mosfet 40N20 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFB260N, IRFB4227, IRFB4332.

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