Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 7N65 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet 7N65

• Tipo: Tipo-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 650 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,35 Ω
• Corrente contínua Dreno: 7,4 A
• Carga Total da Gate: 30 nC
• Dissipação de energia: 142W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220F
  
  

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 7N65

O transistor 7N65 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

9N65, 9N95, 10N65, 11N90, 12N70, 20N65, 12N65A, 15N65.

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