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Características Básicas do Transistor Mosfet 9N65
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 650 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,1 Ω
- Corrente contínua Dreno: 9A
- Carga Total da Gate: 48 nC
- Dissipação de energia: 167 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220 / TO-220F
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O transistor Mosfet 9N65 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
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