Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N BUK453-100B - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet BUK453-100B

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,20 Ω  ou 200 mΩ

• Corrente contínua Dreno: 13A

• Dissipação de energia: 75 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor BUK453-100B

O transistor Mosfet  BUK453-100B pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

2SK453-100A, 24N60DM2, 40N20, IRF3710, IRF530, IRF540, IRF640, IRF8010, IRF260N, IRFB4410, 2SK1116, 2SK1293, 2SK1347, 2SK3156, 2SK3479, 2SK3828, 15N12, 22N20, 30N20, BUK455‑100A, BUK455‑100B, BUK456‑100A, BUK456‑100B, BUK456‑200A, IRF4420.

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