Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF1104 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF1104

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 40 V

• Tensão Gate-Source, Máximo: ± 20 V

• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 9 mΩ

• Corrente Contínua Dreno: 100A

• Dissipação de energia: 170 W

• Carga Total da Gate: 93 nC

• Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF1104

O transistor IRF1104 pode ser substituído pelos seguintes transistores:

IRF1404, IRF1405, IRF1407, IRF1607, IRF2804, IRF2805, IRF2907Z, IRF2907ZPbF, IRF3205, IRF3808, IRFB3207, IRFB4110, IRFB4310, IRLB3034, IRF2204, IRF3305, IRFB3004, IRFB3006, IRFB3077, IRFB3206, IRFB3256, IRFB3306, IRFB3307, IRFB7430, IRFB7434, IRFB7437, IRFB7440, IRL1404.

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Forte abraço.

Deus vos Abençoe!

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