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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF2804
- Tipo: Tipo-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 40 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 2,0 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 75 A
- Carga Total da Gate: 240 nC
- Dissipação de energia: 330 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
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Encapsulamento: TO-220AB
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF2804
O transistor IRF2804 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
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