Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF2805 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF2805

• Tipo: Tipo-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 55 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 4,7 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 75 A
• Carga Total da Gate: 230 nC
• Dissipação de energia: 330 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB
  
  

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF2805

O transistor IRF2805 pode ser substituído pelos seguintes transistores:

IRF1607, IRF3808, IRFB3006, IRFB3077, IRFB3077G, IRFB3207, IRFB4110, IRFB3006G, IRFB4110G.

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