|
|
|
Características Básicas do Transistor Mosfet IRF3205PbF
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 55 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 8,0mΩ
- Corrente contínua Dreno: 110 A
- Carga Total da Gate: 146 nC
- Dissipação de energia: 200 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores
Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no
link abaixo!
Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Informação Relevante
A diferença principal entre os transistores IRF3205 e IRF3205PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as
regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos
os transistores são semelhantes.
Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF3205PbF
O transistor IRF3205PbF pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
IRF1405,
IRF1407,
IRF1607,
IRF2805,
IRF3205PbF,
IRFB4110, IRFB4310, IRF1405Z, IRFB3206, IRFB3256, IRFB3307, IRFB4110G, IRFB4310G,
IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB7540.
Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de
mensagem abaixo!
Copiar Chave:
0fed5250-57c5-4bc6-9095-e62f7d812416
Nenhum comentário:
Postar um comentário