Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF3415PbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF3415PbF

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 150 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 42 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 43 A
• Carga Total da Gate: 200 nC
• Dissipação de energia: 200 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRF3415 e IRF3415PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF3415PbF

O transistor IRF3415PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFB260N, IRF3415, IRFB4115, IRFB4127, IRFB4127PbF, IRFB4332, IRFB52N15D, IRFB4115G, IRFB4233, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB61N15D.

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