Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF510PbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF510PbF

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,54 Ω

• Corrente contínua Dreno: 5,6 A

• Carga Total da Gate: 8,3 nC

• Dissipação de energia: 43 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C

• Encapsulamento: TO-220

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRF510 e IRF510PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF510PbF

O transistor IRF510PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

BUZ22, IRF510, IRF520, IRF530, IRF540, IRF540PbF, IRF630, IRF640, IRFB13N50A, IRF634, IRF640PbF, IRF644, IRFB17N50L.

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