Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF540PbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF540PbF

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,077 Ω

• Corrente contínua Dreno: 28 A

• Carga Total da Gate: 72 nC

• Dissipação de energia: 150 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRF540 e IRF540PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Par Complementar do Transistor MOSFET: 

O transistor Mosfet Canal-N IRF540PbF é complementar do transistor Canal-P IRF9540PbF

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF540PbF

O transistor IRF540PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

BUZ21, IRF540, IRFI540G, IRFS540, 2SK1928, 2SK2314, 2SK2466, 2SK2391, 2SK2466, BUK445-100A, BUK455-100A, BUK551-100A, BUK555-100A, MTP27N10E, RFP22N10, 2SK2789.

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