Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF721 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF721

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 350 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,8 Ω

• Corrente contínua Dreno: 3,3 A

• Carga Total da Gate: 25 nC

• Dissipação de energia: 50 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF721

O transistor IRF721 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF720, IRF730, IRF730A, IRF730B, IRF740, IRF740A, IRF830, IRF840, IRF840A, IRFBC40, IRFBC40PbF, 13N50, IRFB13N50A, IRF740B, IRF740LC, IRF830A, IRF830B, IRF840LC, IRFB17N50L, IRFB9N60A, IRFB9N65A, IRFBC40A.

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