Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF820 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF820

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 3 Ω

• Corrente contínua Dreno: 3 A

• Carga Total da Gate: 35 nC

• Dissipação de energia: 75 W

• Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF820

O transistor IRF820 pode ser substituído pelos seguintes transistores:

7N65, 8N60, 9N65, 10N60, 10N65, 11N50L, 12N65, 12N70, IRF830, IRF832, 2SK1008‑01, 2SK1010‑01, 2SK1156, 2SK1246, 2SK1322, 2SK1402, 2SK1608, 2SK1632, 2SK2138, 2SK2402, 2SK2661, 3N50, 3N60, 4N60, 5N60, 6N60, 12N60.

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Deus vos Abençoe!

Shalom.