Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF831 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF831

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 450 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,5 Ω

• Corrente contínua Dreno: 4,5 A

• Carga Total da Gate: 30 nC

• Dissipação de energia: 75 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF831

O transistor IRF831 pode ser substituído pelos seguintes transistores:

IRF830, IRF840, 7N65, 8N60, 9N65, 10N60, 10N65, 2SK1321, 2SK1562, 2SK1709, 2SK2328, 2SK2365, 2SK3456, 2SK3517‑01, 2SK3759, 2SK893, 5N50, 6N60, 6N65, 7N60, 8N65.

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