Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF833 - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF833-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRF833

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 450 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 2 Ω
• Corrente contínua Dreno: 4 A
• Carga Total da Gate: 30 nC
• Dissipação de energia: 75 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no link abaixo!

Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem, Módulos!

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF833

O transistor IRF833 pode ser substituído pelos seguintes transistores:

IRF830, IRF832, IRF840, 7N65, 8N60, 9N65, 10N60, 10N65, 2SK1321, 2SK1562, 2SK1709, 2SK2328, 2SK2365, 2SK3456, 2SK3517‑01, 2SK3759, 2SK893, 5N50, 6N60, 6N65, 7N60, 8N65.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso Blog! Clique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço!

Deus vos Abençoe!

Shalom.!