Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF841 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF841

• Tipo: Tipo-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 450 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,85 Ω
• Corrente contínua Dreno: 8 A
• Carga Total da Gate: 60 nC
• Dissipação de energia: 125 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220AB
  
  

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF841

O transistor IRF841 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

10N65, 12N65, 13N50, IRF840A, IRFB9N60A, IRFB9N60APbF, IRFB13N50A, IRF744, IRF840G, IRF840LC, IRFS841, IRFB17N50L, IRFS840, STP8NA50, 2SK554, 2SK1158, 2SK1566, 2SK1567, 2SK1805, 2SK2116, 2SK2117, 2SK2118, 2SK2175, YTA840.

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Deus vos Abençoe!

Shalom.