Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB13N50APbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB13N50APbF

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V

• Tensão Gate-Source, Máximo: ± 30 V

• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 0,45 Ω

• Corrente Contínua Dreno: 14 A

• Carga Total da Gate: 81 nC

• Dissipação de energia: 250 W

• Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB13N50APbF

O transistor IRFB13N50APbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF13N50, IRFB13N50A, 2SK3682‑01, 18N50, IRFB16N50K, IRFB17N50L, IRFB18N50K, IRFB20N50K.

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