FVM Learning

Nosso maior compromisso é compartilhar conhecimentos, somos simples, mas não simplórios, astuto, mas não pacóvio, nos posicionamos empenhados em mostrar o caminho para desmistificação do opróbrio em legítima defesa do conhecimento compartilhado. Eng. Jemerson Marques!

segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB7545 - Características e Substituição

Datasheet-Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRFB7545-Características-Substituição-fvml
Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRFB7545-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB7545

  • Tipo: Tipo-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 60 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 5,9 m
  • Corrente contínua Dreno: 95 A
  • Carga Total da Gate: 110 nC
  • Dissipação de energia: 125 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet Completo: IRFB7545

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB7545

O transistor IRFB7545 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRFB7734IRFB7530, IRFB7534, IRFB7537, IRFB7540, IRFB7730, IRLB3036, IRLB4030, N0602N.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso BlogClique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

Nenhum comentário:

Postar um comentário