Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB9N60APbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB9N60APbF

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 600 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,75 Ω

• Corrente contínua Dreno: 9,2 A

• Carga Total da Gate: 49 nC

• Dissipação de energia: 170W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFB9N60A e IRFB9N60APbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB9N60APbF

O transistor IRFB9N60APbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFB9N60A, 10N60, 10N65, 12N65, 12N70, 2SK3450‑01, 2SK3501‑01, 2SK3686‑01, 12N60, 15N65.

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