Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFBC40PbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFBC40PbF

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 600 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,2 Ω

• Corrente contínua Dreno: 6,2 A

• Carga Total da Gate: 60 nC

• Dissipação de energia: 125W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFBC40 e IRFBC40PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFBC40PbF

O transistor IRFBC40PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFBC40, IRFB9N60A, IRFB9N60APbF, IRFB9N65A, IRFBC40A, IRFBC40LC.

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