Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFP260M - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP260M

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 40mΩ
• Corrente contínua Dreno: 50 A
• Carga Total da Gate: 234 nC
• Dissipação de energia: 300 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-247AC

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP260M

O transistor IRFP260M pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFP260N, IRFP4332, IRFP4332PbF, IRFP4668, IRFP4668Pbf, IRFP90N20D, IRFP4227, IRFP4232, IRFP4332, IRFP4768.

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