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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFP260N - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP260N

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 200 V
  • Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 40m
  • Corrente contínua Dreno (ID): 50 A
  • Carga Total da Gate (Qg): 234 nC
  • Dissipação de energia (PD): 300 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-247AC


Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP260N

O transistor IRFP260N pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRFP260MIRFP4332IRFP4332PbFIRFP4668IRFP4668PbfIRFP90N20D, IRFP4227, IRFP4232, IRFP4768.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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