Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFP260N - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP260N

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source (V_DSS): 200 V
• Tensão Gate-Source, máximo (V_GS): ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (R_DS(on)): 40mΩ
• Corrente contínua Dreno (I_D): 50 A
• Carga Total da Gate (Q_g): 234 nC
• Dissipação de energia (P_D): 300 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-247AC
  
  

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP260N

O transistor IRFP260N pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFP260M, IRFP4332, IRFP4332PbF, IRFP4668, IRFP4668Pbf, IRFP90N20D, IRFP4227, IRFP4232, IRFP4768.

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