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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP360
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 400 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,20 Ω
- Corrente contínua Dreno: 23 A
- Carga Total da Gate: 210 nC
- Dissipação de energia: 280 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
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Encapsulamento: TO-247AC
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Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Módulos!Informação Relevante
A diferença principal entre os transistores IRFP360 e IRFP360PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.
Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP360
O transistor IRFP360 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
IRFP360PbF, 2SK3339W, 2SK3340W, 24N50, 25N40, SPW32N50C3, STW48NM60N, STW56N60M2, STW58NM60N.
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