Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRL540N - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRL540N

• Tipo: Tipo-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 16 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 44 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 36 A
• Carga Total da Gate: 74 nC
• Dissipação de energia: 140 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB
  
  

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRL540N

IRL540N pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF1310N, IRF3415, IRF3710, IRF8010, IRFB260N, IRFB4110, IRFB4115, IRFB4127, IRFB4127PbF, IRFB4227, IRFB4310, IRFB4332, IRFB4410, IRFB4510, IRFB4510PbF, IRFB52N15D, IRF3710Z, IRF3710ZG, IRFB4110G, IRFB4115G, IRFB4233, IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4410Z, IRFB4410ZG, IRFB4610, IRFB4710, IRFB52N15D, IRFB59N10D, IRFB61N15D, IRL2910, IRLB4030.

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