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Características Básicas do Transistor Mosfet IRLB3034
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 40 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,7 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 343 A
- Carga Total da Gate: 162 nC
- Dissipação de energia: 375 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRLB3034
O transistor IRLB3034 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRFB7430, AUIRLB3034.
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