Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRLB4132PbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRLB4132PbF

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 30 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 3,5 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 150 A
• Carga Total da Gate: 36 nC
• Dissipação de energia: 140 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRLB4132 e IRLB4132PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRLB4132PbF

O transistor IRLB4132PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRL3713, IRFB7430, IRFB7430PbF, IRLB3034, IRLB4132.

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