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Características Básicas do Transistor Mosfet IRLB4132PbF
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 30 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 3,5 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 150 A
- Carga Total da Gate: 36 nC
- Dissipação de energia: 140 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Módulos!Informação Relevante
A diferença principal entre os transistores IRLB4132 e IRLB4132PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as
regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os
transistores são semelhantes.
Forte abraço!
Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRLB4132PbF
O transistor IRLB4132PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores:
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Forte abraço!
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Shalom.
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