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Características Básicas do Transistor Mosfet IRLZ34N
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 55 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 16 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 35 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 30A
- Carga Total da Gate: 25 nC
- Dissipação de energia: 68 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
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Encapsulamento: TO-220AB
Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores
Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRLZ34N
O transistor IRLZ34N pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
IRF1010N,
IRF1010E,
IRF1018E,
IRF1405,
IRF1407,
IRF1607,
IRF2805,
IRF2807Z,
IRF2805,
IRF3805,
IRFB3006,
IRFB3077,
IRF3205,
IRFB3207,
IRFB3607,
IRF3710,
IRF3808,
IRFB4110,
IRFB4115,
IRFB4127,
IRFB4127PbF,
IRFB4227,
IRFB4310,
IRFB4332,
IRFB4410,
IRFB4510,
IRFB4510PbF,
IRFB52N15D,
IRF540,
IRF8010,
IRFB3306,
IRFZ34,
IRFZ44,
IRFZ44N,
IRFZ46N,
IRFZ48N,
IRLZ44N, IRF2807, IRF3007, IRF3305, IRFB3206, IRFB3256, IRFB3307, IRFB3806,
IRFB4321, IRFB4510, IRFB4610, IRFB4710, IRFB59N10D, IRFB61N15D,
IRFZ40, IRFZ48, IRL2505, IRL2910, IRL3705N, IRLB3036, IRLB4030.
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