Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N MTP4N50 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet MTP4N50

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,5 Ω

• Corrente contínua Dreno: 4 A

• Carga Total da Gate: 30 nC

• Dissipação de energia: 75 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor MTP4N50

O transistor Mosfet MTP4N50 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

8N60, 9N65, 10N60, 10N65, 11N50L, 12N65, 12N70, 13N50, 2SK1099, 2SK1117, 2SK1563, 2SK1709, 2SK2328, 2SK2542, 2SK2544, 2SK2661, 2SK2866, 2SK3517‑01, 2SK3682‑01, 5N50, 6N50, 7N50, 8N50, 9N60, 10N60, 12N60, IRF830, IRF840A, MTP6N60, MTP8N50E.

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