Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-P 20P10 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 20P10

• Tipo: Canal-P

• Tensão de ruptura Dreno-Source: -100 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 55 mΩ

• Corrente contínua Dreno: -21 A

• Carga Total da Gate: 90 nC

• Dissipação de energia: 120 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C

• Encapsulamento: TO-220

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 20P10

O transistor Mosfet 20P10 pode ser substituído pelos seguintes transistores:

30P10A, UTT70P10,  IRF5210, IRF5210PBF, UTT50P10.

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