Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-P 30P10A - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 30P10A

• Tipo: Canal-P
• Tensão de ruptura Dreno-Source: -100 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 45 mΩ
• Corrente contínua Dreno: -30 A
• Carga Total da Gate: 90 nC
• Dissipação de energia: 120 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 30P10A

O transistor Mosfet 30P10A pode ser substituído pelos seguintes transistores:

UTT70P10, AP9591GP, HSP80P10, SE100P60, UTT50P10.

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