Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-P FQPF15P12 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet FQPF15P12

• Marcação Transistor: 15P12

• Tipo: Canal-P

• Tensão de ruptura Dreno-Source: -120 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,20 Ω

• Corrente contínua Dreno: -15A

• Dissipação de energia: 41 W

• Carga de Gate Total: 38 nC

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C

• Encapsulamento: TO-220
  

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor FQPF15P12

O transistor Mosfet FQPF15P12 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

FQP15P12.

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