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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF5210
- Tipo: Tipo-P
- Tensão de ruptura Dreno-Source: -100 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,06 Ω
- Corrente contínua Dreno: 40 A
- Carga Total da Gate: 180 nC
- Dissipação de energia: 200W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
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Encapsulamento: TO-220AB
Confira a lista completa de equivalência e substituição de
Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF5210
O transistor IRF5210 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
IRF5210PBF, UTT50P10.
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